9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA446DJ-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA446DJ-T1-GE3参考价格0.67000美元。Vishay Siliconix SIA446DJ-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70。您可以下载SIA446DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA445EDJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC-70,包括TrenchFETR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA445EDJ-GE3的零件别名,该产品提供SMD/SMT等安装样式功能,封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件以1通道数量的通道提供,该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装,配置为单一,FET类型为MOSFET P通道,金属氧化物,功率最大值为19W,晶体管类型为1 P通道,漏极到源极电压Vdss为20V,输入电容Ciss Vds为2130pF@10V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为12A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为16.5 mOhm@7A,4.5V,Vgs最大Id为1.2V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为72nC@10V、Pd功耗为19W,其最大工作温度范围为+150 C,它的最小工作温度范围为-55℃,Id连续漏极电流为-12 A,Vds漏极-源极击穿电压为-20 V,Rds漏极源极电阻为16.5 mOhm,晶体管极性为P沟道,Qg栅极电荷为23 nC。
SIA438EDJ-T1-GE3是MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm@4.5V,包括12 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中,用于10 ns 5 ns,提供典型的关闭延迟时间功能,如18 ns 15 ns,晶体管类型设计为在1个P通道中工作,该器件还可以用作Si技术。此外,上升时间为12 ns,器件的漏极-源极电阻为46 mOhms Rds,器件具有2.4 W的Pd功耗,部件别名为SIA438EDJ-GE3,封装为卷轴式,封装盒为PowerPAK-SC-70-6,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为5.7 A,下降时间为12 ns 10 ns,配置为单四漏三源,通道模式为增强型。
SIA443DJ T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6。SIA443DJ T1-GE3以PowerPAK®SC-70-6封装形式提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6、P沟道20V 9A(Tc)3.3W(Ta)、15W(Tc)表面贴装PowerPAK?SC-70-6单跨MOSFET P-CH 20V 6.7A 6引脚PowerPAK SC-70 T/R。