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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SQJA80EP-T1_GE3
SQJA80EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.06763

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.06763

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SI7309DN-T1-GE3
SI7309DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta),19.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.89476

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SQ4080EY-T1_GE3
SQ4080EY-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 7.1W (Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.06763

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.06763

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SI7153DN-T1-GE3
SI7153DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.07003

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.07003

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SI7322DN-T1-E3
SI7322DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.03722

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.03722

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SIRA10DP-T1-GE3
SIRA10DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 40W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

20

5-7 工作日

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合计: ¥7.89476

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SQJA62EP-T1_GE3
SQJA62EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.06763

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.06763

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SIA485DJ-T1-GE3
SIA485DJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Tc) 最大功耗: 15.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.41817

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.41817

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SIA431DJ-T1-GE3
SIA431DJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49060

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.49060

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SUM85N15-19-E3
SUM85N15-19-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥44.32655

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合计: ¥44.32655

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SI8425DB-T1-E1
SI8425DB-T1-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta)、2.7W(Tc) 供应商设备包装: 4-WLCSP (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49060

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.49060

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SI2307BDS-T1-GE3
SI2307BDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49060

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.49060

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SQJ412EP-T1_GE3
SQJ412EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.46940

0

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合计: ¥18.46939

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SIHH11N60EF-T1-GE3
SIHH11N60EF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.13046

1857

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合计: ¥30.13046

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SISS76LDN-T1-GE3
SISS76LDN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 70 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19.6A(Ta),67.4A(Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.14006

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.14006

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SIE818DF-T1-E3
SIE818DF-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(L) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.20289

1176

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合计: ¥30.20289

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SIJ438DP-T1-GE3
SIJ438DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 69.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.10965

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.10965

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SIR418DP-T1-GE3
SIR418DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.28492

3793

5-7 工作日

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合计: ¥10.28492

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SI7370DP-T1-E3
SI7370DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.6A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.54182

0

5-7 工作日

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合计: ¥18.54182

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IRLR014TRPBF
IRLR014TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.96719

0

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合计: ¥7.96719

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