9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA485DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA485DJ-T1-GE3参考价格为0.61000美元。Vishay Siliconix SIA485DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70。您可以下载SIA485DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA456DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA456DJ-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为19W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为200V，输入电容Ciss Vds为350pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.38 Ohm@750mA，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14.5nC@10V，Pd功耗为3.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为20 ns 12 ns，上升时间为25 ns 20 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，Vgs栅-源极阈值电压为1.4 V，Rds漏极源极电阻为1.38欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns 16ns，典型接通延迟时间为10ns 5ns，Qg栅极电荷为9.5nC，信道模式为增强。
SIA461DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC706L，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于+/-8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计用于P沟道以及Si技术，该设备也可以用作PowerPAKR SC-70-6单一供应商设备包。此外，该系列是TrenchFETR，该器件提供33 mOhm@5.2A，4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有33 mOhms Rds On漏极-源极电阻，功率最大值为17.9W，Pd功耗为17.9 W，零件别名为SIA461DJ-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Ciss Vds为1300pF@10V，Id连续漏极电流为-12A，栅极电荷Qg Vgs为45nC@8V，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为12A（Tc），配置为单一。
SIA467EDJ-T1-GE3是MOSFET-12V.013Ohm@4.5V31A P-Ch G-III，包括单一配置，其设计为在50 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于31 S的正向跨导最小值，其提供Id连续漏电流功能，如-31 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用PowerPAK-SC-70-6封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为19W，Qg栅极电荷为29nC，Rds漏极源极电阻为40mOhm，上升时间为25ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为25ns，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs栅极-源极电压为8V，第Vgs栅极源极阈值电压为-0.4V至-1V。
