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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SIRA90DP-T1-RE3
SIRA90DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.85034

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合计: ¥9.85034

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SI8472DB-T2-E1
SI8472DB-T2-E1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 780mW (Ta) 供应商设备包装: 4-MICRO FOOT (1x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.27331

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合计: ¥4.27331

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IRF9630STRLPBF
IRF9630STRLPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 74W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.09085

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合计: ¥22.09085

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SUD40N08-16-E3
SUD40N08-16-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.10485

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合计: ¥23.10485

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SQD15N06-42L_GE3
SQD15N06-42L_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.82233

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合计: ¥7.82233

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IRF644PBF
IRF644PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.10965

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合计: ¥13.10965

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SI7461DP-T1-E3
SI7461DP-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.6A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.17968

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合计: ¥18.17968

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SQS462EN-T1_GE3
SQS462EN-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.82233

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5-7 工作日

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合计: ¥7.82233

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SI7465DP-T1-E3
SI7465DP-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.99520

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合计: ¥9.99520

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SQM60030E_GE3
SQM60030E_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.11646

752

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合计: ¥29.11646

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SI7461DP-T1-GE3
SI7461DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.6A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.17968

0

5-7 工作日

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合计: ¥18.17968

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SIR622DP-T1-GE3
SIR622DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51.6A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.89236

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合计: ¥12.89236

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SIRA84DP-T1-GE3
SIRA84DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 34.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.34574

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合计: ¥4.34574

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SI7465DP-T1-GE3
SI7465DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.99520

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SIS468DN-T1-GE3
SIS468DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.99520

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合计: ¥9.99520

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SUM70060E-GE3
SUM70060E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 131A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.78952

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合计: ¥15.78952

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SUD19P06-60L-E3
SUD19P06-60L-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta)、46W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.99520

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SIA468DJ-T1-GE3
SIA468DJ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37.8A (Tc) 最大功耗: 19W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.07003

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合计: ¥5.07003

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SQJ411EP-T1_GE3
SQJ411EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.06763

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合计: ¥10.06763

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SI5403DC-T1-GE3
SI5403DC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、6.3W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

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