SIA468DJ-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37.8A (Tc) 最大功耗: 19W（Tc） 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.07003 | 5.07003 |
| 10+ | 4.31676 | 43.16768 |
| 100+ | 3.22381 | 322.38150 |
| 500+ | 2.53269 | 1266.34850 |
| 1000+ | 1.95717 | 1957.17600 |
| 3000+ | 1.78443 | 5353.29900 |
| 6000+ | 1.72692 | 10361.55000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.07003
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.07
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-16伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V
- 供应商设备包装 PowerPAKSC-70-6
- 包装/外壳 PowerPAKSC-70-6
- 最大功耗 19W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 37.8A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 8.4毫欧姆 @ 11A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1290 pF@15 V
SIA468DJ-T1-GE3 产品详情
Vishay Siliconix SiA468DJ为2mm×2mm塑料封装中的30V器件提供了业界最低的导通电阻和最高的连续漏电流。它采用PowerPAK®SC-70封装，比PowerPAK 1212中的设备小60%。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIA918EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | SIA928DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | SIA527DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18436 |
 | SIA517DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37977 |
 | SIA923AEDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | SIA921EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.78031 |
 | SIA533EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.70789 |
 | SIA911ADJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.4819 |
 | SIA907EDJT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
 | SIA778DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏、20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 1.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.60744 |
SIA468DJ-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIA468DJ-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIA468DJ-T1-GE3价格参考￥5.070030，你可以下载 SIA468DJ-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIA468DJ-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
