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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SI4420BDY-T1-E3
SI4420BDY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.24290

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SIR626ADP-T1-RE3
SIR626ADP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40.4A (Ta), 165A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.64466

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SIUD401ED-T1-GE3
SIUD401ED-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK0806 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.25931

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SI7115DN-T1-E3
SI7115DN-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.71709

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SQM50P03-07_GE3
SQM50P03-07_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TA)

¥19.77312

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SUM90N03-2M2P-E3
SUM90N03-2M2P-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 250W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.60946

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SI4455DY-T1-E3
SI4455DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),5.9W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.71709

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SQM50P06-15L_GE3
SQM50P06-15L_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.77312

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SQM40P10-40L_GE3
SQM40P10-40L_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.77312

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SIDR638DP-T1-GE3
SIDR638DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8DC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.78952

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SISA24DN-T1-GE3
SISA24DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.31533

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SQM50P04-09L_GE3
SQM50P04-09L_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.77312

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SIJA74DP-T1-GE3
SIJA74DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Ta),81.2A(Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 46.2W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.31533

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SUD19N20-90-E3
SUD19N20-90-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.24971

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SI3453DV-T1-GE3
SI3453DV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.96959

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SQM40081EL_GE3
SQM40081EL_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.54422

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SI2374DS-T1-GE3
SI2374DS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) 最大功耗: 960mW(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.69388

2

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SIR870ADP-T1-GE3
SIR870ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.86195

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IRF730PBF-BE3
IRF730PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.87836

11

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SIS862ADN-T1-GE3
SIS862ADN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.8A(Ta),52A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.38776

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