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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SI7884BDP-T1-E3
SI7884BDP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 4.6W (Ta), 46W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.16327

0

5-7 工作日

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合计: ¥22.16327

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SI7460DP-T1-E3
SI7460DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.65867

0

5-7 工作日

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合计: ¥16.65867

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SI2323CDS-T1-GE3
SI2323CDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.64946

0

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合计: ¥5.64946

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SQS420EN-T1_GE3
SQS420EN-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 18W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.60505

2501

5-7 工作日

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合计: ¥7.60505

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SI3477DV-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),4.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.64946

0

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合计: ¥5.64946

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SI3421DV-T1-GE3
SI3421DV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),4.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.91117

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.91117

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SI5471DC-T1-GE3
SI5471DC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、6.3W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.64946

0

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合计: ¥5.64946

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SI4435DDY-T1-E3
SI4435DDY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.64946

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.64946

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SI3499DV-T1-GE3
SI3499DV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

1695

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合计: ¥7.60505

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SQJQ480E-T1_GE3
SQJQ480E-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.95999

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合计: ¥22.95999

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SI2319DS-T1-GE3
SI2319DS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.64946

0

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合计: ¥5.64946

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SI7116DN-T1-E3
SI7116DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.94839

0

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合计: ¥16.94839

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SQJQ410EL-T1_GE3
SQJQ410EL-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 135A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.95999

0

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合计: ¥22.95999

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SI7135DP-T1-GE3
SI7135DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.94839

0

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合计: ¥16.94839

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SI1403BDL-T1-GE3
SI1403BDL-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.98360

7

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SI7738DP-T1-GE3
SI7738DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 96W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.10485

0

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SI1330EDL-T1-E3
SI1330EDL-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 240毫安(Ta) 最大功耗: 280毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.98360

0

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合计: ¥3.98360

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SI2318DS-T1-GE3
SI2318DS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.98360

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合计: ¥3.98360

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SI2338DS-T1-GE3
SI2338DS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.98360

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.98360

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SI7852ADP-T1-GE3
SI7852ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.09324

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