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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SI4488DY-T1-E3
SI4488DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 1.56W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.09324

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合计: ¥17.09324

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SI4488DY-T1-GE3
SI4488DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 1.56W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.09324

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合计: ¥17.09324

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SUM55P06-19L-E3
SUM55P06-19L-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.30813

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合计: ¥22.30813

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SISS52DN-T1-GE3
SISS52DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47.1A (Ta), 162A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.03962

2990

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合计: ¥8.03962

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IRF9540STRLPBF
IRF9540STRLPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.38056

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SUP90142E-GE3
SUP90142E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.84315

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合计: ¥24.84315

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SQ1421EDH-T1_GE3
SQ1421EDH-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.05602

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合计: ¥4.05602

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SI7613DN-T1-GE3
SI7613DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.18448

640

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合计: ¥8.18448

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SI4838DY-T1-E3
SI4838DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.61185

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SQ2303ES-T1_GE3
SQ2303ES-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 1.9W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.05602

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SI7145DP-T1-GE3
SI7145DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.38296

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SUD40N10-25-E3
SUD40N10-25-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.61185

0

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SQ2301ES-T1_GE3
SQ2301ES-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: TO-236 (SOT-23) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TA)

¥4.05602

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SI3457CDV-T1-GE3
SI3457CDV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta)、3W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.05602

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SI2307CDS-T1-E3
SI2307CDS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.05602

0

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SI2392ADS-T1-GE3
SI2392ADS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.12845

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SI7615CDN-T1-GE3
SI7615CDN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.12845

0

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SQ2318BES-T1_GE3
SQ2318BES-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.12845

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IRF830SPBF
IRF830SPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、74W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.09324

400

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IRFI634GPBF
IRFI634GPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.67268

27

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