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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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SI4401FDY-T1-GE3
SI4401FDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.9A (Ta), 14A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

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SI4056ADY-T1-GE3
SI4056ADY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

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SIS407ADN-T1-GE3
SIS407ADN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.73590

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SI1062X-T1-GE3
SI1062X-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 530毫安 (Ta) 最大功耗: 220毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

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SISS65DN-T1-GE3
SISS65DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25.9A(Ta),94A(Tc) 最大功耗: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

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SI4056DY-T1-GE3
SI4056DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.1A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

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TN2404K-T1-GE3
TN2404K-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

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IRF540PBF-BE3
IRF540PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.29653

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合计: ¥16.29653

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SI2365EDS-T1-GE3
SI2365EDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Tc) 最大功耗: 1W(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.04202

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IRF9540PBF-BE3
IRF9540PBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.29653

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合计: ¥16.29653

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IRF9640STRRPBF
IRF9640STRRPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.14687

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SQJA36EP-T1_GE3
SQJA36EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.99280

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IRF840LCPBF
IRF840LCPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.65867

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SIR688DP-T1-GE3
SIR688DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.21009

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SIS178LDN-T1-GE3
SIS178LDN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 70 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.9A(Ta),45.3A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

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SI7113DN-T1-E3
SI7113DN-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.2A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.09085

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SIS447DN-T1-GE3
SIS447DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

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SI2371EDS-T1-GE3
SI2371EDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tc) 最大功耗: 1W(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.25931

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SIR440DP-T1-GE3
SIR440DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.28252

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SISA01DN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22.4A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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