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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SI8823EDB-T2-E1
SI8823EDB-T2-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Tc) 最大功耗: 900mW (Tc) 供应商设备包装: 4-MICRO FOOT (0.8x0.8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.11445

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合计: ¥3.11445

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IRF9530SPBF
IRF9530SPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 88W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.54182

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合计: ¥18.54182

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SIS128LDN-T1-GE3
SIS128LDN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.2A(Ta),33.7A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.46019

6000

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合计: ¥7.46019

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SI2301CDS-T1-E3
SI2301CDS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 860mW (Ta), 1.6W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.96959

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合计: ¥2.96959

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SQJQ466E-T1_GE3
SQJQ466E-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.29413

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合计: ¥21.29413

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SI2333DS-T1-GE3
SI2333DS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.59104

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合计: ¥6.59104

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SUD09P10-195-BE3
SUD09P10-195-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),32.1W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.59104

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合计: ¥6.59104

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IRL640PBF
IRL640PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.83154

0

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合计: ¥18.83154

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IRFD020PBF
IRFD020PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.09564

15

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合计: ¥12.09564

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IRL540PBF-BE3
IRL540PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.04883

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合计: ¥19.04883

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IRF710PBF
IRF710PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.40176

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IRLZ14PBF
IRLZ14PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.40176

0

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合计: ¥8.40176

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SI2356DS-T1-GE3
SI2356DS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 960mW(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.04202

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合计: ¥3.04202

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IRF9510PBF
IRF9510PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.40176

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5-7 工作日

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合计: ¥8.40176

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SIRA24DP-T1-GE3
SIRA24DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

0

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SUM90220E-GE3
SUM90220E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 64A (Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.64227

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SIRC10DP-T1-GE3
SIRC10DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

0

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SI2302CDS-T1-E3
SI2302CDS-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 710mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.11445

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合计: ¥3.11445

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SIR150DP-T1-RE3
SIR150DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30.9A (Ta), 110A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

57

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SI7454FDP-T1-RE3
SI7454FDP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

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