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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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IRFBG30PBF
IRFBG30PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.41097

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5-7 工作日

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合计: ¥19.41097

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SIR662DP-T1-GE3
SIR662DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.21009

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合计: ¥15.21009

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SI4396DY-T1-GE3
SI4396DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、5.4W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.44618

418

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合计: ¥6.44618

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SI1032X-T1-GE3
SI1032X-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 300mW (Ta) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

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5-7 工作日

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合计: ¥3.40416

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SI7322ADN-T1-GE3
SI7322ADN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.1A(Tc) 最大功耗: 26W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.14246

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合计: ¥5.14246

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SI3430DV-T1-E3
SI3430DV-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Ta) 最大功耗: 1.14W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.48820

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SISC06DN-T1-GE3
SISC06DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27.6A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 46.3W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.44618

384

5-7 工作日

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合计: ¥6.44618

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SI7450DP-T1-E3
SI7450DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.94599

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合计: ¥21.94599

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SI4116DY-T1-GE3
SI4116DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.48820

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5-7 工作日

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合计: ¥9.48820

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SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

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SI4848ADY-T1-GE3
SI4848ADY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.14246

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SI5424DC-T1-GE3
SI5424DC-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、6.25W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.51861

787

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合计: ¥6.51861

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SI7450DP-T1-GE3
SI7450DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.94599

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SI2303CDS-T1-BE3
SI2303CDS-T1-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.9A(Ta)、2.7A(Tc) 最大功耗: 1W(Ta),2.3W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

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SISS05DN-T1-GE3
SISS05DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29.4A(Ta),108A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.56063

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SUM70101EL-GE3
SUM70101EL-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.15848

0

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SI3129DV-T1-GE3
SI3129DV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta), 5.4A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),4.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.14246

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IRFL210TRPBF-BE3
IRFL210TRPBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 960毫安(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

1665

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合计: ¥6.66347

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SQM120N06-3M5L_GE3
SQM120N06-3M5L_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.37576

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SI7463ADP-T1-GE3
SI7463ADP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.56063

0

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合计: ¥9.56063

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