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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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IRLL014TRPBF-BE3
IRLL014TRPBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

119

5-7 工作日

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合计: ¥6.66347

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SUM90N10-8M2P-E3
SUM90N10-8M2P-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.67949

0

5-7 工作日

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合计: ¥33.67949

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SQ2319ADS-T1_BE3
SQ2319ADS-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

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合计: ¥5.21489

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SI7463DP-T1-GE3
SI7463DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.30813

0

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合计: ¥22.30813

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SUM110P06-08L-E3
SUM110P06-08L-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 272W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.75191

0

5-7 工作日

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合计: ¥33.75191

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SIR871DP-T1-GE3
SIR871DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.78952

0

5-7 工作日

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合计: ¥15.78952

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SQ3457EV-T1_BE3
SQ3457EV-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.21489

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SI4101DY-T1-GE3
SI4101DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25.7A(Tc) 最大功耗: 6W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

2060

5-7 工作日

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合计: ¥6.88076

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SQ2337ES-T1_BE3
SQ2337ES-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.21489

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SQ2389ES-T1_BE3
SQ2389ES-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

2668

5-7 工作日

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合计: ¥5.21489

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SUM45N25-58-E3
SUM45N25-58-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥34.04163

0

5-7 工作日

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合计: ¥34.04163

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SQ3419EV-T1_BE3
SQ3419EV-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

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合计: ¥5.21489

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SIA440DJ-T1-GE3
SIA440DJ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.62145

0

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合计: ¥3.62145

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SQ3495EV-T1_GE3
SQ3495EV-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.28732

19

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合计: ¥5.28732

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SQM50P08-25L_GE3
SQM50P08-25L_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.77312

0

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合计: ¥19.77312

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SI7456DP-T1-E3
SI7456DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.93438

0

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合计: ¥15.93438

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SI4403DDY-T1-GE3
SI4403DDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.4A(Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.62145

0

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合计: ¥3.62145

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SI7456DP-T1-GE3
SI7456DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.93438

0

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合计: ¥15.93438

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SUM90P10-19L-E3
SUM90P10-19L-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 13.6W(Ta)、375W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥34.18649

0

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合计: ¥34.18649

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IRLD014PBF
IRLD014PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.80593

0

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合计: ¥11.80593

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