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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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SI2319CDS-T1-GE3
SI2319CDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.34574

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5-7 工作日

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合计: ¥4.34574

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SIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.34574

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SI5457DC-T1-GE3
SI5457DC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 5.7W (Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.34574

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合计: ¥4.34574

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SI2323DDS-T1-GE3
SI2323DDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 960mW(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.41817

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合计: ¥4.41817

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SQM100N02-3M5L_GE3
SQM100N02-3M5L_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.75911

756

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合计: ¥18.75911

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SQP25N15-52_GE3
SQP25N15-52_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.75911

351

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合计: ¥18.75911

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SQ2318AES-T1_GE3
SQ2318AES-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.56303

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合计: ¥4.56303

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SIA466EDJ-T1-GE3
SIA466EDJ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.14246

908

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合计: ¥5.14246

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SI4842BDY-T1-E3
SI4842BDY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.83154

969

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SI7121ADN-T1-GE3
SI7121ADN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

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SI4058DY-T1-GE3
SI4058DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A(Tc) 最大功耗: 5.6W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

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SIS862DN-T1-GE3
SIS862DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

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SI3493DDV-T1-GE3
SI3493DDV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.96959

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SIA400EDJ-T1-GE3
SIA400EDJ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 19.2W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

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SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 34.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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SI2333CDS-T1-E3
SI2333CDS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

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SI4485DY-T1-GE3
SI4485DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

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SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.70789

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SI5442DU-T1-GE3
SI5442DU-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFet单 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

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