SIA466EDJ-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.14245 | 5.14245 |
| 10+ | 4.51232 | 45.12327 |
| 100+ | 3.45703 | 345.70360 |
| 500+ | 2.73274 | 1366.37300 |
| 1000+ | 2.18619 | 2186.19700 |
| 3000+ | 2.04952 | 6148.56900 |
- 库存: 908
- 单价: ¥5.14246
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.14
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 25A（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@10 V
- 供应商设备包装 PowerPAKSC-70-6
- 包装/外壳 PowerPAKSC-70-6
- 导通电阻 Rds(ON) 9.5毫欧姆 @ 9A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 620 pF @ 1 V
- 最大功耗 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
SIA466EDJ-T1-GE3 产品详情
Vishay SiA466EDJ是一种N沟道20V（D-S）MOSFET，采用SC-70封装设计，占地面积2.05mm×2.05mm。它具有2500V的典型ESD保护，并经过Rg测试。SiA466EDJ通常用于智能手机、移动计算、DC/DC转换器、电源管理和负载开关。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | SIA928DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | SIA527DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18436 |
 | SIA517DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37977 |
 | SIA923AEDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | SIA921EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.78031 |
 | SIA533EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.70789 |
 | SIA911ADJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.4819 |
 | SIA907EDJT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
 | SIA778DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏、20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 1.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.60744 |
SIA466EDJ-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIA466EDJ-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIA466EDJ-T1-GE3价格参考￥5.142459，你可以下载 SIA466EDJ-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIA466EDJ-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
