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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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SISH625DN-T1-GE3
SISH625DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.3A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

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5-7 工作日

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合计: ¥4.78031

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SI2343DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.78031

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SI4812BDY-T1-GE3
SI4812BDY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.35975

305

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合计: ¥5.35975

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SQJA82EP-T1_GE3
SQJA82EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.05363

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合计: ¥9.05363

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SI7111EDN-T1-GE3
SI7111EDN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

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合计: ¥4.78031

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SIA445EDJ-T1-GE3
SIA445EDJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

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合计: ¥4.85274

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SIRA26DP-T1-RE3
SIRA26DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 43.1W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.50460

630

5-7 工作日

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合计: ¥5.50460

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SUM110P06-07L-E3
SUM110P06-07L-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.97160

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合计: ¥28.97160

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SI7172ADP-T1-RE3
SI7172ADP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度

¥9.12605

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合计: ¥9.12605

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SQJ431EP-T1_GE3
SQJ431EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.99280

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合计: ¥14.99280

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SIR470DP-T1-GE3
SIR470DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.36656

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SISS10ADN-T1-GE3
SISS10ADN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31.7A (Ta), 109A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.99760

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SQM120N10-3M8_GE3
SQM120N10-3M8_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.11646

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SI7113ADN-T1-GE3
SI7113ADN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.8A(Tc) 最大功耗: 27.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.07003

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SI2343DS-T1-E3
SI2343DS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.99760

0

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SI1013X-T1-GE3
SI1013X-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 250mW(Ta) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.33173

0

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SQM120P10_10M1LGE3
SQM120P10_10M1LGE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

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SI3469DV-T1-E3
SI3469DV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.14W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.99760

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SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、1.66W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49060

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合计: ¥4.49060

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SIS413DN-T1-GE3
SIS413DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49060

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