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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SI7454DDP-T1-GE3
SI7454DDP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.80593

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.80593

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IRF624PBF-BE3
IRF624PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.61665

1000

5-7 工作日

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合计: ¥13.61665

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SI7106DN-T1-E3
SI7106DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.87836

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.87836

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IRF9Z34PBF-BE3
IRF9Z34PBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.90637

149

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.90637

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SIRA20DP-T1-RE3
SIRA20DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 81.7A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.95079

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SI7423DN-T1-E3
SI7423DN-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.09564

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.09564

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SQM70060EL_GE3
SQM70060EL_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 166W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.28012

200

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.28012

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IRF9520SPBF
IRF9520SPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.74750

796

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.74750

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IRL530PBF
IRL530PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.81993

766

5-7 工作日

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合计: ¥12.81993

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SI7386DP-T1-GE3
SI7386DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.31293

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.31293

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SI4136DY-T1-GE3
SI4136DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.38536

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.38536

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SI7615DN-T1-GE3
SI7615DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.38536

61

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.38536

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IRFIZ24GPBF
IRFIZ24GPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.54422

180

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- +

合计: ¥13.54422

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IRFZ34PBF
IRFZ34PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.26851

0

5-7 工作日

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合计: ¥14.26851

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SI7113DN-T1-GE3
SI7113DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.2A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.60265

0

5-7 工作日

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SI7858BDP-T1-GE3
SI7858BDP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.60265

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.60265

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SI4840BDY-T1-GE3
SI4840BDY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、6W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.60265

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.60265

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IRF9Z24PBF
IRF9Z24PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.70309

769

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合计: ¥14.70309

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IRLZ34PBF-BE3
IRLZ34PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.70309

503

5-7 工作日

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合计: ¥14.70309

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IRFR9310TRPBF
IRFR9310TRPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.74750

0

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合计: ¥12.74750

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