•TrenchFET®功率MOSFET
•新的热增强型PowerPAK®SC-70封装
-占地面积小
-低导通电阻
•100%Rg测试
•材料分类
应用
•负载开关，用于便携式和手持式设备的1.2 V电源线
（图片：引线/示意图）
SIA427DJ-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.34574 | 4.34574 |
| 10+ | 3.73733 | 37.37336 |
| 100+ | 2.78851 | 278.85170 |
| 500+ | 2.19097 | 1095.48850 |
| 1000+ | 1.69302 | 1693.02800 |
| 3000+ | 1.54367 | 4631.03700 |
| 6000+ | 1.49384 | 8963.08800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.34574
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.35
在线询价
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 800mV @ 250A
- 漏源电压标 (Vdss) 8 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.2伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±5V
- 最大功耗 3.5W (Ta), 19W (Tc)
- 供应商设备包装 PowerPAKSC-70-6
- 包装/外壳 PowerPAKSC-70-6
- 导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@8.2A，4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2300 pF@4 V
- 色彩/颜色 -
SIA427DJ-T1-GE3 产品详情
特征
•TrenchFET®功率MOSFET
•新的热增强型PowerPAK®SC-70封装
-占地面积小
-低导通电阻
•100%Rg测试
•材料分类
应用
•负载开关，用于便携式和手持式设备的1.2 V电源线
•TrenchFET®功率MOSFET
•新的热增强型PowerPAK®SC-70封装
-占地面积小
-低导通电阻
•100%Rg测试
•材料分类
应用
•负载开关，用于便携式和手持式设备的1.2 V电源线
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 | SIA928DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | SIA527DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18436 |
 | SIA517DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37977 |
 | SIA923AEDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | SIA921EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.78031 |
 | SIA533EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.70789 |
 | SIA911ADJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.4819 |
 | SIA907EDJT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
 | SIA778DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏、20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 1.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.60744 |
SIA427DJ-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIA427DJ-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIA427DJ-T1-GE3价格参考￥4.345740，你可以下载 SIA427DJ-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIA427DJ-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
