9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA431DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA431DJ-T1-GE3参考价格为0.62000美元。Vishay Siliconix SIA431DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA431DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIA431DJ-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIA429DJT-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC-70，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于SIA429DJT-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为1750pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为20.5 mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为62nC@8V，Pd功耗为19W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为25纳秒，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-12 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅-源极阈值电压为-1 V，Rds漏极源极电阻为20.5 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为41nC，正向跨导Min为30S。
SIA430DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6，包括3V@250μ，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR SC-70-6单供应商器件封装，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为10ns 8ns，Rds On Max Id Vgs为13.5mOhm@7A、10V，Rds On Drain Source电阻为13.5mohm，功率最大值为19.2W，Pd功耗为3.5W，零件别名为SIA430DJ-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SC-70-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为800pF@10V，Id连续漏极电流为12 A，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V；FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为10 ns 8 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），配置为单四漏极双源，并且信道模式是增强。
SIA430DJT-T1-GE3带有电路图，包括SMD/SMT安装样式，它们设计为与PowerPAK-SC-70-6封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供Si等技术特性。
