9icnet为您提供由TTM Technologies,Inc.设计和生产的X3C35F1-02S,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。X3C35F1-02S参考价格$21.5000。TTM Technologies,Inc.股份有限公司X3C35F1-02S封装/规格:射频直通耦合器3.3GHZ-3.7GHZ SMD。您可以下载X3C35F1-02S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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X3C26P1-30S是连接器90DEG 2650-2800MHZ 30DB,包括Xinger IIIR系列,它们设计用于定向耦合器产品。包装如数据表说明所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供SMD/SMT等终端类型功能,其工作温度范围为-55 C至+95 C,以及2520(6450公制)封装外壳,该设备也可用于2.3GHz~2.9GHz频率。此外,频率范围为2300 MHz至2900 MHz,该设备在LTE、WiMAX应用中提供,该设备具有供应商设备包,最大功率为200W,插入损耗为0.1dB,耦合器类型为标准,耦合系数为30dB,回波损耗为24.9dB。
X3C26P1-03S是耦合器90DEG 2650-2800MHZ 3DB,包括星格商标,它们设计用于与供应商设备包一起操作,系列如数据表注释所示,用于星格IIIR,提供20.1dB等回波损耗特性,产品设计用于混合耦合器,以及80W最大功率,该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外,封装外壳为2520(6450公制),设备提供20dB隔离,设备具有0.2dB插入损耗,频率为2.3GHz~2.9GHz,耦合系数为3dB,耦合器类型为标准,应用为LTE、WiMAX。
X3C35F1-02S带电路图,包括标准耦合器类型,其设计工作在1.9dB±0.15dB耦合系数下,频率如数据表注释所示,用于3.3GHz~3.7GHz,具有0.2dB等插入损耗特性,隔离设计工作在23dB,以及4-SMD、无引线暴露焊盘封装外壳,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,最大功率为25W,该设备为XingerR系列,该设备具有供应商设备包。