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FDMS7602S

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A、17A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.87835 11.87835
10+ 10.61084 106.10849
100+ 8.27356 827.35650
500+ 6.83469 3417.34500
1000+ 5.72276 5722.76000
3000+ 5.72283 17168.49900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.00921
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.88
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 最大功率 1W
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
  • 供应商设备包装 Power56
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A、17A
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.5毫欧姆 @ 12A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1750皮法@15V

FDMS7602S 产品详情

该器件包括双MLP封装中的两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接,以实现同步降压转换器的轻松放置和布线。控制MOSFET(Q1)和同步SyncFET™ (Q2)被设计为提供最佳的功率效率。

特色

  • Q1:在VGS=10 V时,N信道最大RDS(开启)=7.5 mΩ,在VGS=4.5 V时,ID=12 A最大RDS(打开)=12 mΩ,ID=10 A
  • Q2:VGS=10 V时,N信道最大RDS(开启)=5.0 mΩ,VGS=4.5 V时,ID=17 A最大RDS(打开)=6.8 mΩ,ID=14 A
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDMS7602S所属分类:场效应晶体管阵列,FDMS7602S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMS7602S价格参考¥11.009208,你可以下载 FDMS7602S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMS7602S规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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