特色
- Q1：VGS=10 V时，N信道最大rDS（开启）=10 mΩ，VGS=4.5 V时，ID=13 AMax rDS（打开）=14.5 mΩ，ID=10 A
- Q2:VGS=10 V时，N信道最大rDS（开启）=5 mΩ，VGS=4.5 V时，ID=18 AMax rDS（打开）=5.2 mΩ，ID=17 A
- 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而降低了开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS
应用
- 笔记本电脑
FDMS3669S
- 描述:场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、18A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.15406 | 11.15406 |
| 10+ | 9.99520 | 99.95202 |
| 100+ | 7.79191 | 779.19120 |
| 500+ | 6.43647 | 3218.23800 |
| 1000+ | 5.38944 | 5389.44200 |
| 3000+ | 5.38944 | 16168.32600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥11.15407
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.15
在线询价
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 最大功率 1W
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 场效应管类型 2 N通道（双通道）不对称
- 供应商设备包装 Power56
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13A、18A
- 导通电阻 Rds(ON) 10毫欧姆@13A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1605FF@15V
FDMS3669S 产品详情
该器件包括双PQFN封装中的两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，以实现同步降压转换器的轻松放置和布线。控制MOSFET（Q1）和同步同步FET™ （Q2）被设计为提供最佳的功率效率。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMS3669S所属分类：场效应晶体管阵列，FDMS3669S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMS3669S价格参考￥11.154066，你可以下载 FDMS3669S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMS3669S规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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