特色
- Q1/Q4:VGS=10 V时，N通道最大rDS（开启）=110 mΩ，VGS=6 V时，ID=3 AMax rDS（打开）=175 mΩ，ID=2.4 A
- PD解决方案的显著效率效益
- Q2/Q3：在VGS=-10 V时，P通道最大rDS（开启）=190 mΩ，在VGS=-4.5 V时，ID=-2.3 AMax rDS（打开）=235 mΩ，ID=-1.1 A
- 符合RoHS
应用
- 中央办公室
FDMQ8203
- 描述:场效应管类型: 2个N和2个P通道（H桥） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100V、80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A、2.6A 供应商设备包装: 12-MLP（5x4.5） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.80592 | 11.80592 |
| 10+ | 10.61084 | 106.10849 |
| 100+ | 8.52634 | 852.63420 |
| 500+ | 7.00533 | 3502.66650 |
| 1000+ | 6.60878 | 6608.78400 |
| 3000+ | 6.60878 | 19826.35200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥11.80593
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.81
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个N和2个P通道（H桥）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
- 最大功率 2.5瓦
- 漏源电压标 (Vdss) 100V、80V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.4A、2.6A
- 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@3A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 210华氏度@50伏
- 包装/外壳 12-WDFN外露衬垫
- 供应商设备包装 12-MLP（5x4.5）
FDMQ8203 产品详情
双N沟道和双P沟道PowerTrench®MOSFET，GreenBridge™ 高效桥式整流器系列
FDMQ8203 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMQ8203所属分类：场效应晶体管阵列，FDMQ8203 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMQ8203价格参考￥11.805927，你可以下载 FDMQ8203中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMQ8203规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
