特色
- Q1:VGS=10 V时,N信道最大rDS(开启)=8 mΩ,VGS=4.5 V时,ID=13 AMax rDS(打开)=11 mΩ,ID=11 A
- Q2:VGS=10 V时,N信道最大rDS(开启)=2.6 mΩ,VGS=4.5 V时,ID=25 AMax rDS(打开)=3.2 mΩ,ID=22 A
- 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS
应用
- 笔记本电脑
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.60264 | 12.60264 |
10+ | 11.27719 | 112.77195 |
100+ | 8.79360 | 879.36050 |
500+ | 7.26462 | 3632.31450 |
1000+ | 6.08273 | 6082.73200 |
3000+ | 6.08280 | 18248.41500 |
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