9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMC3300NZA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMC3300NZA参考价格1.138美元。onsemi FDMC3300NZA封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 8A POWER33。您可以下载FDMC3300NZA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMC2674是MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP，包括UniFET？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007408盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerVDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1个通道数量的通道，器件具有8-MLP（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为220V，输入电容Ciss Vds为1180pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1A（Ta）、7A（Tc），Rds On最大Id Vgs为366 mOhm@1A、10V，Vgs th最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为2.1 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为21ns，上升时间为13ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为220V，Rds漏极电阻为336mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型的开启延迟时间为9ns，信道模式为增强。
FDMC3020DC是MOSFET N-CH 30V 40A POWER33，包括1.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.001133盎司，晶体管类型设计用于2 N沟道，该器件还可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为5 mOhm，器件提供15.5 nC Qg栅极电荷，器件具有3 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为Power-33-8，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为17A，且正向跨导最小值为44S，且配置为双重。
FDMC3300NZ是由FAIRCHILD制造的MOSFET 2N-CH 20V 8A POWER33。FDMC3300NZ采用8-PowerVDFN封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 20V 8A POWER33。
