9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLJD181PZTAG，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTLJD181PZTAG参考价格为0.23000美元。onsemi NTLJD181PZTAG封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN。您可以下载NTLJD181PZTAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTLJD3119CTBG是MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN，包括μCool？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如6-WDFN暴露焊盘，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，信道数为2信道，该设备采用6-WDFN（2x2）供应商设备包提供，该设备具有N信道P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为710mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为271pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为2.6A、2.3A，最大Id Vgs的Rds为65 mOhm@3.8A、4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.7nC@4.5V，Pd功耗为710 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.7ns 13.2ns，上升时间为4.7ns13.2ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为3.8A，Vds漏极-源极击穿电压为21V-20V，Rds漏极源极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为11.1ns 13.7ns，典型接通延迟时间为3.8ns 5.2ns，正向跨导Min为4.2S 3.1S，信道模式为增强。
NTLJD3119CTAG是MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-WDFN（2x2）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于μCool？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如65 mOhm@3.8A，4.5V，Power Max设计为在710mW下工作，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作6-WDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有271pF@10V输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为3.7nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.6A、2.3A。
NTLJD3119CT1G，带有ON制造的电路图。NTLJD2119CT1G采用WDFN6封装，是IC芯片的一部分。
