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NTLJD3119CTBG是MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN，包括μCool？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如6-WDFN暴露焊盘，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，信道数为2信道，该设备采用6-WDFN（2x2）供应商设备包提供，该设备具有N信道P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为710mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为271pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为2.6A、2.3A，最大Id Vgs的Rds为65 mOhm@3.8A、4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.7nC@4.5V，Pd功耗为710 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.7ns 13.2ns，上升时间为4.7ns13.2ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为3.8A，Vds漏极-源极击穿电压为21V-20V，Rds漏极源极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为11.1ns 13.7ns，典型接通延迟时间为3.8ns 5.2ns，正向跨导Min为4.2S 3.1S，信道模式为增强。
NTLJD181PZTAG是MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN，包括1V@250μA Vgs和最大Id，它们设计用于6-WDFN（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于100 mOhm@2A，4.5V，提供功率最大功能，如710mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及6-WDFN裸露衬垫包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供450pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有7.8nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为2.2A。
NTLJD181PZTBG是MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN，包括2.2A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在7.8nC@4.5V下工作，除了450pF@10V输入电容Cis Vds外，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用6-WDFN暴露焊盘封装盒，该设备具有封装带和卷轴（TR），最大功率为710mW，最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@2A，4.5V，供应商设备包为6-WDFN（2x2），Vgs th Max Id为1V@250μA。
