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NTLJD3181PZTAG是MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于与6-WDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-WDFN（2x2）以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作710mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供450pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.2A，最大Id Vgs的Rds为100mOhm@2A，4.5V，Vgs th最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为7.8nC@4.5V。
NTLJD181PZTBG是MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN，包括1V@250μA Vgs和最大Id，它们设计用于6-WDFN（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于100 mOhm@2A，4.5V，提供功率最大功能，如710mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及6-WDFN暴露焊盘包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供450pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有7.8nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为2.2A。
NTLJD183CZTAG是MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN，包括2.6A、2.2A电流连续漏极Id 25°C，设计用于20V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如N和P通道，栅极电荷Qg Vgs设计用于7nC@4.5V，除了355pF@10V输入电容Cis Vds之外，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用6-WDFN暴露焊盘封装盒，该设备具有封装带和卷轴（TR），最大功率为710mW，最大Id Vgs上的Rds为68mOhm@2A，4.5V，供应商设备包为6-WDFN（2x2），Vgs th Max Id为1V@250μA。
