特色
- 互补N沟道和P沟道MOSFET
- 电路布局简单，电路设计灵活
- WDFN封装，带外露排水垫，导热性好
- 优异的导热性
- 用于低导通电阻的前沿沟槽技术
- 1.8 V栅极阈值电压
- 薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装
应用
- 同步DC-DC转换电路
- 便携式设备的负载/电源管理
- 彩色显示器和照相机闪光灯调节器
- 掌上电脑
- 移动电话
- 硬盘驱动器
（图片：引出线）
NTLJD3119CTAG
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A、2.3A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥13.09516
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.10
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V
- 最大功率 710mW
- 供应商设备包装 6-WDFN (2x2)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A、2.3A
- 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 3.8A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 271皮法@10V
NTLJD3119CTAG 产品详情
功率MOSFET20 V/−20 V，4.6 A/−4.1 A，互补，2x2 mm，WDFN封装
NTLJD3119CTAG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTLMS4504NR2 | 安盛美 (onsemi) | TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S | ¥4.41817 |
 | NTLUD3A260PZTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NTLJD4116NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
 | NTLUD3A260PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTLJD3115PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | NTLJD2104PTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLJD2104PTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLUD3A50PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
 | NTLTS3107PR2G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CHAN 8.3A 20V MICRO8 | ¥4.85274 |
 | NTLTD7900ZR2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 20V 6A MICRO8 | ¥1.44858 |
NTLJD3119CTAG所属分类：场效应晶体管阵列，NTLJD3119CTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTLJD3119CTAG价格参考￥13.095163，你可以下载 NTLJD3119CTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTLJD3119CTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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