特色
- 设计用于低压、高速开关应用
- 超低Rds（开启）提供更高的效率并延长电池寿命 - Rds（开）=0.024Ω，VGS=10 V（典型值） - Rds（开）=0.030Ω，VGS=4.5 V（典型值）
- 小型SO-8表面安装封装节省了电路板空间
- 二极管用于桥式电路
- 二极管显示高速，具有软恢复
- 符合RoHS
应用
- 直流-直流转换器
- 计算机
- 打印机
- 蜂窝和无绳电话
- 磁盘驱动器和磁带驱动器
（图片：引出线）
NTMD6N03R2G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.73589 | 6.73589 |
- 库存: 5
- 单价: ¥6.73590
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.74
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 32毫欧姆 @ 6A, 10V
- 最大功率 1.29W
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 950皮法@24V
NTMD6N03R2G 产品详情
功率MOSFET 30 V，6 A，双N沟道SOIC-8
NTMD6N03R2G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| NTMFS5C442NLTWFT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS5C442NLT - SINGLE N-CHANNEL | ¥6.70548 |
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| NTMFS5C460NL | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
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 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMD6N03R2G所属分类：场效应晶体管阵列，NTMD6N03R2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMD6N03R2G价格参考￥6.735897，你可以下载 NTMD6N03R2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMD6N03R2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
