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HUFA76407DK8T是MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC，包括UltraFET？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SOP供应商器件封装，该器件也可作为2 N通道（双）FET类型。此外，最大功率为2.5W，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有330pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，最大Id Vgs的Rds为90mOhm@3.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为11.2nC@10V。
HUFA76404DK8T是MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8-SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SOIC供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于110 mOhm@3.6A，10V，提供2.5W等最大功率特性，封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供250pF@25V输入电容Cis-Vds，器件具有4.9nC@5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为62V，电流连续漏极Id 25°C为3.6A。
HUFA76407D3S是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 12A DPAK。HUFA76407D3S可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 12A DPak、N沟道60V 12A（Tc）38W（Tc）表面安装TO-252AA、Trans MOSFET N-CH60V 12A-3-Pin（2+接线片）TO-252A。
