9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLTD7900ZR2G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTLTD7900ZR2G参考价格为0.27000美元。onsemi NTLTD7900ZR2G封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO。您可以下载NTLTD7900ZR2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTLLD4951NFTWG，带引脚细节，包括NTLLD4951NFTWG系列，它们设计用于带卷（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于8-WDFN暴露垫，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作8-WDFN（3x3）供应商设备包。此外，FET类型为2 N沟道（双）非对称型，该器件的最大功率为800mW、810mW，该器件具有30V的漏极到源极电压Vdss，输入电容Ciss Vds为605pF@15V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为5.5A、6.3A，最大Id Vgs为17.4 mOhm@9A、10V，Vgs th最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V。
NTLTD7900ZR，带有ON制造的用户指南。NTLTD7900 ZR采用QFN-8封装，是FET阵列的一部分。
NTLTD7900ZR2带有ON制造的电路图。NTLTD7900 ZR2采用MICRO-8封装，是FET阵列的一部分。
