NTLUD3191PZTBG

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NTLUD3191PZTAG是MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于与6-UFDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-UDFN（1.6x1.6），以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作500mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供160pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.1A，最大Id Vgs上的Rds为250 mOhm@1.5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为3.5nC@4.5V。

NTLTF4156NT带有ON制造的用户指南。NTLTF4156 NT采用QFN封装，是IC芯片的一部分。

NTLTS3107PR2G，带有ON制造的电路图。NTLTS307PR2G采用DFN-8封装，是IC芯片的一部分。