特色
- 联合封装功率级解决方案
- 最小化板空间
- 集成肖特基的低端MOSFET
- 最小化寄生电感
- 优化设备以降低功耗
- 符合RoHS
应用
- DC-DC转换器
- 系统电压轨
- 负载点
- 台式和笔记本电脑
- 图形卡
- Netcom/电信设备
NTLLD4951NFTWG
- 描述:场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A, 6.3A 供应商设备包装: 8-WDFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 268
- 库存: 3000
- 单价: ¥8.11205
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,174.03
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 场效应管特性 标准
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
- 包装/外壳 8-WDFN Exposed Pad
- 场效应管类型 2 N通道（双通道）不对称
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A, 6.3A
- 导通电阻 Rds(ON) 17.4毫欧姆@9A、10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 605皮法 @ 15V
- 最大功率 800mW, 810mW
- 供应商设备包装 8-WDFN (3x3)
NTLLD4951NFTWG 产品详情
带集成肖特基30 V的双N沟道功率MOSFET，高侧11 A/低侧13 A，双N−沟道，WDFN（3 mm x 3 mm）
NTLLD4951NFTWG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTLMS4504NR2 | 安盛美 (onsemi) | TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S | ¥4.41817 |
 | NTLUD3A260PZTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NTLJD4116NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
 | NTLUD3A260PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTLJD3115PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | NTLJD2104PTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLJD2104PTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLUD3A50PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
 | NTLTS3107PR2G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CHAN 8.3A 20V MICRO8 | ¥4.85274 |
 | NTLTD7900ZR2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 20V 6A MICRO8 | ¥1.44858 |
NTLLD4951NFTWG所属分类：场效应晶体管阵列，NTLLD4951NFTWG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTLLD4951NFTWG价格参考￥8.112048，你可以下载 NTLLD4951NFTWG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTLLD4951NFTWG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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