特色
- 共封装功率级解决方案，最大限度地减少电路板空间
- 集成肖特基的低端MOSFET
- 最小化寄生电感
- 优化设备以降低功耗
- 符合RoHS
应用
- DC−DC转换器
- 系统电压轨
- 负载点
NTMFD1D4N02P1E
- 描述:场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、74A（Tc）、24A（Ta 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 10.14006 | 30420.18000 |
- 库存: 12000
- 单价: ¥10.14006
-
数量:
- +
- 总计: ¥30,420.18
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管特性 标准
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 场效应管类型 2 N通道（双通道）不对称
- 供应商设备包装 8-PQFN (5x6)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13A（Ta）、74A（Tc）、24A（Ta
- 导通电阻 Rds(ON) 3.3毫欧姆@20A，10V，1.1毫欧姆@37A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A、 2V@800A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 电压为13伏时为1180华氏度，电压为13伏特时为3603华氏度
- 最大功率 960mW（Ta），1W（Ta）
NTMFD1D4N02P1E 产品详情
双N沟道功率MOSFET，集成肖特基30 V，高侧18 A/低侧30 A，双N沟道SO8FL
NTMFD1D4N02P1E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTMS4N01R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC | ¥1.30372 |
 | NTMD3P03R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | ¥1.59344 |
 | NTMSD3P303R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOIC | ¥1.44858 |
 | NTMD6P02R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC | ¥1.66587 |
| NTMFS4709NT1G | 安盛美 (onsemi) | NFET S08FL 30V 94A .003R | ¥1.81073 |
| NTMFS5C442NLTWFT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS5C442NLT - SINGLE N-CHANNEL | ¥6.70548 |
| NTMFS4C13NBT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS4C13N - MOSFET SO8FL 30V 38 | ¥1.50652 |
| NTMFS5C460NL | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | NTMFS4C55NT1G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 |
 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMFD1D4N02P1E所属分类：场效应晶体管阵列，NTMFD1D4N02P1E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFD1D4N02P1E价格参考￥10.140060，你可以下载 NTMFD1D4N02P1E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFD1D4N02P1E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
