特色
- Q1：VGS=10 V时，N信道最大rDS（开启）=30 mΩ，VGS=6 V时，ID=6.2 AMax rDS（打开）=41 mΩ，ID=5.2 A
- Q2:P信道最大rDS（开启）=1200 mΩ，VGS=-10 V，ID=-1 AMax rDS（打开）=1400 mΩ，VGA=-6 V，ID=-0.9 A
- 针对有源箝位正激变换器进行了优化
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMS8095AC
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A, 1A 供应商设备包装: 8-MLP (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 22.33094 | 66992.84100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥11.40757
-
数量:
- +
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 场效应管特性 标准
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 最大功率 2.3瓦
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
- 供应商设备包装 8-MLP (5x6), Power56
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.2A, 1A
- 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 6.2A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 75V时为2020皮法
FDMS8095AC 产品详情
这些双N沟道和P沟道增强型功率MOSFET是使用先进的PowerTrench®工艺生产的，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持优异的开关性能。缩小实施有源箝位拓扑所需的面积；从而实现最佳的功率密度。
FDMS8095AC 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMS8095AC所属分类：场效应晶体管阵列，FDMS8095AC 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMS8095AC价格参考￥11.407568，你可以下载 FDMS8095AC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMS8095AC规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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