9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMD6601NR2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTMD6601NR2G参考价格为0.53000美元。onsemi NTMD6601NR2G封装/规格：MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC。您可以下载NTMD6601NR2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTMD4N03R2G是MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC，包括NTMD4N3系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOIC，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为400pF@20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为60mOhm@4A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@10V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为48 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为7ns，正向跨导最小值为6S，信道模式为增强。
NTMD5836NLR2G是MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如40 V，单位重量设计用于0.019048盎司，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用8-SOIC供应商器件封装，该器件具有NTMD5836NL系列，上升时间为22 ns，Rds On Max Id Vgs为12 mOhm@10A，10V，Rds On漏极-源极电阻为9.5 mOhm，Qg栅极电荷为36 nC，最大功率为1.5W，Pd功耗为1.5 W，封装为Digi-ReelR，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围为+85 C，输入电容Cis-Vds为2120pF@20V，Id连续漏极电流为9 A，栅极电荷Qg-Vgs为50nC@10V，正向跨导最小值为10.5 S/6 S，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为8.5 ns，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为9A，5.7A，配置为双。
NTMD5838NLR2G是MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC，包括双配置，它们设计为在7.4A电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于40V，提供FET功能，如逻辑电平门，FET类型设计为在2 N通道（双）中工作，以及17nC@10V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作7.4A Id连续漏电流。此外，输入电容Ciss Vds为785pF@20V，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，通道数为2通道，其工作温度范围在-55℃~150℃（TJ），封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为2.1W，功率最大值为2.1W；漏极-源极电阻Rds为25mOhm，漏极-漏极最大值Id Vgs为25mOhm@7A，10V，系列为NTMD5838NL；供应商器件封装为8-SOIC，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，单位重量为0.019048oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs最大Id为3V@250μA。
