特色
- 2.9安培，30伏特
- RDS（ON）=123 mΩ@VGS=4.5 V
- RDS（开启）=140 mΩ@VGS=3.0 V
- RDS（开启）=163 mΩ@VGS=2.5 V
- 薄型-最大0.8 mm-在新封装中，MicroFET 2x2 mm
- HBM ESD保护等级=1.8kV（注3）
- 符合RoHS
- 不含卤化化合物和锑氧化物
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMA2002NZ
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.30132 | 6.30132 |
| 10+ | 5.53357 | 55.33576 |
| 100+ | 4.24071 | 424.07180 |
| 500+ | 3.35259 | 1676.29700 |
| 1000+ | 2.68204 | 2682.04600 |
| 3000+ | 2.66683 | 8000.50800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.30132
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.30
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 包装/外壳 6-VDFN Exposed Pad
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 220华氏度@15伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3nC @ 4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.9A
- 供应商设备包装 6-MicroFET (2x2)
- 最大功率 650mW
- 导通电阻 Rds(ON) 123毫欧姆@2.9A，4.5V
FDMA2002NZ 产品详情
该设备专门设计为单包解决方案，用于蜂窝手机和其他超便携应用中的双交换需求。它具有两个独立的N沟道MOSFET，具有低导通电阻，以实现最小的传导损耗。MicroFET 2x2的物理尺寸提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
FDMA2002NZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMA2002NZ所属分类：场效应晶体管阵列，FDMA2002NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMA2002NZ价格参考￥6.301323，你可以下载 FDMA2002NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMA2002NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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