9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMJ1032C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMJ1032C价格参考1.294美元。onsemi FDMJ1032C封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75。您可以下载FDMJ1032C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如FDMJ1032C价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FDMJ1028N是MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表说明中显示了用于6-WFDFN暴露焊盘的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-MICROFET（2x5）供应商设备封装，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，最大功率为800mW，器件提供20V漏极到源极电压Vdss，器件具有200pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.2A，最大Id Vgs上的Rds为90mOhm@3.2A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为3nC@4.5V。
FDMJ1023PZ是MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-75 MicroFET供应商设备包一起工作。数据表说明中显示了用于PowerTrenchR的系列，该产品提供Rds on Max Id Vgs功能，如112 mOhm@2.9A，4.5V，Power Max设计为700mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作6-WFDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有400pF@10V输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为6.5nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.9A。
FDMF8705TR是由FAIRCHILD制造的IC模块驱动器/FET POWER88-56。FDMF8705TR提供56 PowerQFN模块包，是PMIC-全桥半桥驱动器的一部分，并支持IC模块驱动器/FET POWER88-56。
