9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLJD2105LTBG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTLJD2105LTBG参考价格为0.20000美元。onsemi NTLJD2105LTBG封装/规格：MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN。您可以下载NTLJD2105LTBG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTLJD2104PTAG是MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于与6-WDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-WDFN（2x2）以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作700mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为12V，该器件提供467pF@6V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.4A，最大Id Vgs的Rds为90mOhm@3A，4.5V，Vgs th最大Id为800mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为8nC@4.5V。
NTLJD2104PTBG是MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN，包括800mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-WDFN（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于90 mOhm@3A，4.5V，提供功率最大功能，如700mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及6-WDFN裸露衬垫包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供467pF@6V输入电容Cis-Vds，该器件具有8nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为12V，25°C电流连续漏极Id为2.4A。
NTLJ3113PT1G，带有ON制造的电路图。NTLJ3133PT1G采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
