9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLJD4150PTBG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTLJD4150PTBG参考价格为0.84美元。onsemi NTLJD4150PTBG封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN。您可以下载NTLJD4150PTBG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTLJD3183CZTAG是MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与6-WDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在6-WDFN（2x2）以及N和P通道FET类型中工作，该器件还可以用作710mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供355pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.6A、2.2A，最大Id Vgs的Rds为68mOhm@2A、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为7nC@4.5V。
NTLJD183CZTBG是MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-WDFN（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于68 mOhm@2A，4.5V，提供功率最大功能，如710mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及6-WDFN裸露衬垫包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供355pF@10V输入电容Cis Vds，该器件具有7nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为2.6A，2.2A。
NTLJD4116NT1G是MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN，包括2.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于6.5nC@4.5V，除了427pF@15V输入电容Cis Vds外，该设备还可以用作表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用6-WDFN暴露焊盘封装盒，该设备具有封装带和卷轴（TR），最大功率为710mW，最大Id Vgs上的Rds为70 mOhm@2A，4.5V，供应商设备包为6-WDFN（2x2），Vgs th Max Id为1V@250μA。
