■最大ros（on）=90 m2，Ves=-4.5 V，lp=-2.9A■最大ros（on）=130 m2，Ves=-2.5V，lo=-2.6A
■最大ros（on）=170 m2，Ves=-1.8 V，ID=-1.7A
■最大ros（on）=240 m2，Ves=-1.5V，lp=-1.0A低轮廓-新封装中最大0.8 mm MicroFE2×2mm
■HBM ESD保护等级>2 kV（注3）
■符合RoHS
■不含卤化化合物和氧化锑
一般说明
该设备专门设计为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单包解决方案。它具有两个独立的P沟道MOSFET，具有低导通电阻，以实现最小的传导损耗。当以典型的公共电源配置连接时，双向电流是可能的。
MicroFET 2X2封装因其物理尺寸提供了优异的热性能，非常适合线性模式应用。
特色
- VGS=-4.5 V，ID=-2.9 A时，最大rDS（开）=90 mΩ
- VGS=-2.5 V，ID=-2.6 A时，最大rDS（开）=130 mmΩ
- VGS=-1.8 V，ID=-1.7 A时，最大rDS（开）=170 mmΩ
- VGS=-1.5 V，ID=-1.0 A时，最大rDS（开）=240 mmΩ
- 薄型-最大0.8 mm-在新封装中，MicroFET 2x2 mm
- HBM ESD保护等级>2 kV（注3）
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
