9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFD4C85NT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFD4C85NT1G参考价格为2.14000美元。onsemi NTMFD4C85NT1G封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8DFN。您可以下载NTMFD4C85NT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFD4C20NT3G，带有引脚细节，包括NTMFD4C2N系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于8-PowerTDFN，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）供应商设备包。此外，FET类型为2 N通道（双通道），该器件的最大功率为1.09W，1.15W，该器件具有30V的漏极到源极电压Vdss，输入电容Cis-Vds为970pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为9.1A，13.7A，最大Id Vgs的Rds为7.3mOhm@10A，10V，Vgs th最大Id为2.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为9.3nC@4.5V。
带有用户指南的NTMFD4C50NT1G，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，设计用于0.019048 oz单位重量的操作，技术如数据表说明所示，用于Si，提供NTMFD4C5 0N等系列功能，包装设计用于卷筒，以及SOIC-8封装盒，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型。
带有电路图的NTMFD4C50NT3G，包括卷筒包装，设计用于NTMFD4C5 0N系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
