特色
- 低RDS（开启）以最小化传导损耗
- 低电容使驱动器损耗最小化
- 优化栅极电荷以最小化开关损耗
- 双SOIC-8表面安装封装节省了电路板空间
应用
- 磁盘驱动器
- DC-DC转换器
- 打印机
（图片：引出线）
NTMD4820NR2G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 853
- 库存: 76372
- 单价: ¥2.53502
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,162.37
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 高度（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.9A
- 最大功率 750mW
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 940皮法@15V
- 导通电阻 Rds(ON) 20欧姆@7.5A，10V
NTMD4820NR2G 产品详情
功率MOSFET 30 V，8 A，双N沟道，SOIC-8
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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NTMD4820NR2G所属分类：场效应晶体管阵列，NTMD4820NR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMD4820NR2G价格参考￥2.535015，你可以下载 NTMD4820NR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMD4820NR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
