9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMD6N04R2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTMD6N04R2G参考价格为0.28000美元。onsemi NTMD6N04R2G封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC。您可以下载NTMD6N04R2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMD6N03R2G是MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC，包括NTMD6NO3系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT、，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOIC，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），功率最大值为1.29W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为950pF@24V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，Rds最大值Id Vgs为32 mOhm@6A，10V，Vgs最大值Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为30nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为34 ns 45 ns，上升时间为27 ns 22 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为32 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns 45ns，典型接通延迟时间为13ns 9ns，正向跨导最小值为10S，沟道模式为增强。
NTMD6N03R2是MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SOIC供应商器件封装一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于32 mOhm@6A，10V，提供功率最大特性，如1.29W，封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供950pF@24V输入电容Cis-Vds，器件具有30nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为6A。
NTMD6N03G带有ON制造的电路图。NTMD6NO3G以SOP-8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
