特色
- 最大rS1S2（打开）=16.5 mΩ VGS=4.5 V，ID=8 A时
- 最大rS1S2（打开）=18 mΩVGS=4.2 V，ID=7.4 A时
- 最大rS1S2（打开）=21 mΩ VGS=3.1 V，ID=7 A时
- 最大rS1S2（打开）=24 mΩ VGS=2.5 V，ID=6.7 A时
- 薄型-最大0.8 mm-在新封装中，MicroFET 2x3 mm
- HBM ESD保护等级>2 kV（注3）
- 符合RoHS
应用
- 移动手持设备
FDMB2307NZ
- 描述:场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 供应商设备包装: 6-MLP (2x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.09804 | 7.09804 |
| 10+ | 6.33753 | 63.37538 |
| 100+ | 4.94038 | 494.03820 |
| 500+ | 4.08108 | 2040.54200 |
| 1000+ | 3.41720 | 3417.20000 |
| 3000+ | 3.41720 | 10251.60000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.09804
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.10
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
- 场效应管类型 2 N通道（双）公共漏极
- 最大功率 800mW
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28nC@5V
- 供应商设备包装 6-MLP (2x3)
- 材质 -
FDMB2307NZ 产品详情
该设备专门设计为锂离子电池组保护电路和其他超便携应用的单封装解决方案。FDMB2307NZ具有两个公共漏极N沟道MOSFET，可实现双向电流流动，采用Fairchild先进的PowerTrench®工艺和最先进的MicroFET引线框架，最大限度地减少PCB空间和rS1S2（打开）。
FDMB2307NZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMB2307NZ所属分类：场效应晶体管阵列，FDMB2307NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMB2307NZ价格参考￥7.098042，你可以下载 FDMB2307NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMB2307NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
