特色
- 领先的沟槽技术可降低RDS（开启），延长电池寿命
- 快速切换，提高电路效率
- SC-88小外形（2x2 mm），用于最大限度地利用电路板，与SC-70-6相同
应用
- DC-DC转换
- 低压侧负载开关
- 手机
- 计算
- 数码相机
- MP3
- PDA
（图片：引出线）
NTJS3157NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.83873 | 3.83873 |
| 10+ | 2.91164 | 29.11646 |
| 100+ | 1.81362 | 181.36220 |
| 500+ | 1.24085 | 620.42700 |
| 1000+ | 0.95446 | 954.46900 |
| 3000+ | 0.85900 | 2577.02400 |
| 6000+ | 0.81127 | 4867.66200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.83874
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.84
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大功耗 1W（Ta）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.2A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500 pF @ 10 V
- 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
- 导通电阻 Rds(ON) 60毫欧姆 @ 4A, 4.5V
- 色彩/颜色 蓝色
NTJS3157NT1G 产品详情
沟槽功率MOSFET 20 V，4.0 A，单N沟道，SC-88
NTJS3157NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTJD5121NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.30203 |
 | NTJD4001NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.80614 |
 | NTJD4401NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
 | NTJD4152PT1G | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.81243 |
 | NTJD4105CT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 |
 | NTJD4152PT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.04202 |
 | NTJD4158CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安、880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
 | NTJD5121NT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | NTJD4105CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | NTJD4401NT2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 | ¥0.507 |
NTJS3157NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTJS3157NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTJS3157NT1G价格参考￥3.838737，你可以下载 NTJS3157NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTJS3157NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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