9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTJS4160NT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTJS4160NT1G参考价格为0.07000美元。onsemi NTJS4160NT1G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6。您可以下载NTJS4160NT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTJS3151PT1G是MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363，包括NTJS3151P系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-TSSOP、SC-88、SOT-363，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包中提供，该设备具有单四漏极配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为625mW，晶体管类型为1 P信道，漏极到源极电压Vdss为12V，输入电容Cis Vds为850pF@12V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为2.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@3.3A，4.5V，Vgs的最大Id为400mV@100μA，栅极电荷Qg Vgs为8.6nC@4.5V，Pd功耗为625 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1.5 ns，上升时间为1.5ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-3.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为133mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为3.5ns，典型导通延迟时间为0.86ns，正向跨导最小值为15S，并且信道模式是增强。
NTJS4151PT1G是MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如0.85 ns，典型的关闭延迟时间设计为2.7 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用SC-88/SC70-6/SOT-363供应商器件封装，该器件具有NTJS4151P系列，上升时间为1.7 ns，Rds On Max Id Vgs为60 mOhm@3.3A、4.5V，Rds On Drain Source电阻为180 mOhm，功率最大值为1W，Pd功耗为1 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为850pF@10V，Id连续漏极电流为-4.2A，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4.5V，正向跨导最小值为12S，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为4.2ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.3A（Ta），配置为单四漏极，并且信道模式是增强。
NTJS3157NT1G是MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363，包括增强通道模式，它们设计用于单四漏极配置，电流连续漏极Id 25°C如数据表注释所示，用于3.2A（Ta），提供漏极到源极电压Vdss功能，如20V，下降时间设计用于11 ns，以及标准FET功能，该器件也可以用作MOSFET N沟道、金属氧化物FET型。此外，正向跨导最小值为9S，该器件提供15nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，该器件具有4 a的Id连续漏极电流，输入电容Cis-Vds为500pF@10V，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，信道数为1信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，Rds漏极-源极电阻为70 mOhm，Rds最大Id Vgs为60 mOhm@4A，4.5V，上升时间为12 ns，系列为NTJS3157N，供应商器件封装为SC-88/SC70-6/SOT-363，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型开启延迟时间为6ns，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极电压为8V，Vgs最大Id为1V@250μA。
