9icnet为您提供由onsemi设计和生产的5LN01SS-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。5LN01SS-TL-E参考价格$8.469。onsemi 5LN01SS-TL-E封装/规格：MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP。您可以下载5LN01SS-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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5LN01SP是MOSFET NCH 1.5V DRIVE系列，包括5LN01SP系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-92-3，以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为105 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.3V，Rds导通-漏极-漏极电阻为10欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为1.57nC，正向跨导Min为0.18S。
5LN01SP-AC是MOSFET超高速MOSFET，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在50 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及5LN01SP系列，该器件也可以用作7.8欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为250 mW，装置采用卷筒包装，装置具有SPA-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为100 mA，配置为单通道。
5LN01SS，带有ON制造的电路图。5LN01S可在SOT-523封装中获得，是FET的一部分-单个。
