超高速交换应用
特色
低导通电阻超高速切换2.5V驱动器
5LN01SP
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 250mW（Ta） 供应商设备包装: 3-SPA 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥3.57799
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.58
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安（Ta）
- 漏源电压标 (Vdss) 50 V
- 部件状态 过时的
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4伏
- 最大功耗 250mW（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 7.8欧姆 @ 50毫安, 4V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.57 nC@10 V
- 供应商设备包装 3-SPA
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6.6 pF @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@100A.
- 包装/外壳 SC-72
- 样式 -
5LN01SP 产品详情
5LN01SP 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 5LN01SS-TL-E | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: 3-sfp 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.507 | |
 | 5LN01SS-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: 3-sfp 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥61.34012 |
 | 5LN01C-TB-E | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 250mW（Ta） 供应商设备包装: SC-59-3/CP3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.507 |
 | 5LN01SP-AC | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 250mW（Ta） 供应商设备包装: 3-SPA 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.57943 |
 | 5LN01M-TL-H | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.43457 |
 | 5LN01C-TB-H | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 250mW（Ta） 供应商设备包装: SC-59-3/CP3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.37519 |
 | 5LN01S-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: SMCP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.507 |
 | 5LN01SS-TL-H | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: 3-sfp 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.507 |
 | 5LN01M-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.507 |
| 5LN01SP | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 250mW（Ta） 供应商设备包装: 3-SPA 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.57799 |
5LN01SP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，5LN01SP 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。5LN01SP价格参考￥3.577993，你可以下载 5LN01SP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询5LN01SP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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