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5LN01SS-TL-E是MOSFET开关器件，包括5LN01SS系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-723-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该器件也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供150 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为105 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds漏极漏极-漏极电阻为7.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为1.57nC，沟道模式为增强。
5LN01SP-AC是MOSFET超高速MOSFET，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在50 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及5LN01SP系列，该器件也可以用作7.8欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为250 mW，装置采用卷筒包装，装置具有SPA-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为100 mA，配置为单通道。
5LN01SS，带有ON制造的电路图。5LN01S可在SOT-523封装中获得，是FET的一部分-单个。
